产物特色
新洁T系○ 高功电流密度
新洁T系○ 超低导通阻抗
新洁T系○ 高散热功能
新洁T系○ 高坚贞性
新洁T系超高抗雪崩击穿能耐以及高坚贞性展现，出增产物功能卓越，强型小线宽妄想，列产 导通电阻典型值低至0.75mR,新洁T系不断电流ID高达325A,优异的参数展现揭示了沟槽型芯片妄想以及封装等工艺的技术实力。以NCE011N30GU为例，出增新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。强型
产物优势
接管超高元胞密度、列产搭配优化后的新洁T系大电流产物封装工艺，器件经由100% 雪崩测试，出增系列产物具备超高电流密度，强型运用新洁能特有的列产沟槽型工艺平台，为市场提供经济高效的新洁T系产物处置妄想。具备较优的出增鲁棒性，