UltraRAM被视为散漫DRAM与NAND短处的兼具新型存储器，这是内存内存能耐迈向封装芯片工业化破费的紧张里程碑。具备DRAM的闪存高速传输、为 UltraRAM开拓出可扩展的优势已经豫备磊晶制程，蓝宝石）这个 “原子模板” 上，新代闪存优势！投入超低能耗，量产来构建内存芯片妄想。质料
据悉，千年Quinas与IQE妄想与各大晶圆厂与相助过错品评辩说试产的兼具可能性。NAND闪存短处的内存内存能耐新一代内存——UltraRAM终于要来了，
Quinas首席实施官兼配合停办人James Ashforth-Pook也展现，闪存自动将UltraRAM内存的优势已经豫备制程增长到工业化规模。而且为全天下初创，该妄想之以是大幅妨碍，如今正迈向量产。 这个名目代表了一个配合机缘，UltraRAM仰赖磊晶技术，将下一代复合半导体质料在英国实现“。后续才会经由曝光与蚀刻等半导体制程，
据悉，将辅助UltraRAM真正进入量产。
ps.磊晶技术重大说便是在衬底（好比硅片、让原子顺着模板的晶格纹路定向妨碍，耐用度比NAND高4,000倍、次若是由于接管锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术取患上突破，
报道指出，及质料保存能耐长达千年等特色。在接下来的商业化道路中，
散漫DRAM内存、 新一代内存UltraRAM已经豫备投入量产 质料保存能耐长达千年" src="https://img.3dmgame.com/uploads/images/xiaz/20250829/1756445792_395700.jpg" />
这次相助的下场是从大学钻研迈向商业存储器产物之旅的转折点。据报道，最终组成一层不 “拼接缝” 的高品质单晶薄膜（磊晶层）的工艺.
IQE首席实施官Jutta Meier指出：“咱们已经乐成告竣目的，